一、产品特点：
测试种类掩盖面广、测试精度高、电参数测试全、速率快、有精良的反复性和分歧性、事情波动牢靠，具有掩护体系和被测器件的才能。被测器件可经过图形表现，体系软件功效全、利用机动利便、操纵复杂。体系软件波动牢靠、硬件妨碍率低，在实践测试使用中各项技能目标均可到达器件手册技能目标及国标要求。
二、测试参数
1． 二极管
VF、IR、BVR
2． 稳压（齐纳）二极管
VF、IR、BV Z
3． 晶体管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4． 可控硅整流器（晶闸管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5． 场效应管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6． 光电耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
7．三端稳压器
VO、SV、ID、IDV
可测封装（TO-247，TO-220，TO-92，TO-39，14脚以下DIP）
三、测试参数范畴
晶体管
|
测试参数 ### ### |
测试范畴 ### ### |
|
I### ### I### ### ICBO### ### |
1nA-100nA ### 100nA-1uA ### 1uA-100uA ### 100uA-10mA ### |
|
IEBO### ### |
10uA-100uA### ### 100uA-1mA### ### 1mA-10mA### ### 10mA-100mA### ### |
|
VCE(sat) ### VBE(sat)### ### |
0.10V-30V ### |
|
VBE(VBE(on)### ### |
0.10V-30V ### |
|
hFE### ### |
1－99999### ### |
|
V(BR)EBO### ### |
0.10V-30V ### |
|
V(BR)CEO### ### V(BR)CBO### ### |
10V-30V ### 30V-1499V ### |
二极管
|
测试参数 ### ### |
测试范畴 ### ### |
|
IR### ### |
1nA-100nA ### 100nA-1uA ### 1uA-100uA ### 100uA-10mA ### |
|
VF### ### |
0.10V-30V ### |
|
V(BR)### ### |
1V-30V ### |
|
30V-1499V### ### |
稳压二极管
|
测试参数 ### ### |
测试范畴 ### ### |
|
IR### ### |
1nA-100nA ### 100nA-1uA ### 1uA-100uA ### 100uA-10mA ### |
|
VF### ### |
0.10V-30V ### |
|
VZ### ### |
0.10V-30V ### |
三端稳压器
|
测试参数 ### ### |
测试范畴 ### ### |
|
VO### ### |
0.10V-30V### ### |
|
SV### ### |
0.10mV-1V ### |
|
ID### ### |
1uA-1 ### |
|
IDV### ### |
1uA-10mA### ### |
MOSFET
|
测试参数 ### ### |
测试范畴 ### ### |
|
VGS(th)### ### |
0.10V-30V### ### |
|
gfs### ### |
0.1mS-1000S### ### |
|
RDS(on)### ### |
10mΩ-100KΩ### ### |
|
VDS(on)### ### |
0.10V-30V ### |
|
IGSS### ### |
1nA-100nA ### 100nA-1uA ### 1uA-100uA ### 100uA-10mA ### |
|
IDSS### ### |
1nA-100nA ### 100nA-1uA ### 1uA-100uA ### 100uA-10mA ### 10mA-100mA ### |
|
ID(on)### ### |
0-20A ### |
|
V(BR)GSS### ### |
0.1V-30V ### |
|
V(BR)DSS### ### |
0.1V-1499V ### |
光耦
|
测试参数 ### ### |
测试范畴 ### ### |
|
VF### ### |
0.10V-30V### ### |
|
IR### ### |
1nA-100nA ### 100nA-1uA ### 1uA-100uA ### 100uA-10mA ### |
|
VCE(sat)### ### |
0.10V-30V### ### |
|
### ### |
### ### |
|
ICEO### ### |
与IR参数相反###
|
|
ICBO### ### |
与IR参数相反 ### ### |
|
V(BR)CBO V(BR)CEO### ### |
0.10V-30V ### |
|
### ### |
30V-1499V### ### |
可控硅
|
测试参数 ### ### |
测试范畴 ### ### |
|
IGT### ### |
10uA-200mA ### |
|
VGT### ### |
0.10V-30V ### |
|
IH### ### |
10uA-1A### ### |
|
IL### ### |
10uA-1A### ### |
|
VTM### ### |
0.10V-30V ### |
3.3次要技能目标
1、源的目标
压流源 (VA)
电压：
|
设定范畴（V） ### ### |
准确度 ### ### |
|
±(0~10) ### |
±(12.2mV+0.25%set) ### |
|
±(10~30) ### |
±(24.4mV+0.25%set) ### |
电流：
|
丈量范畴 ### ### |
准确度 ### ### |
|
±(0-20)uA ### |
±(48.8nA+0.25% set) ### |
|
±(20-200) uA ### |
±(488nA+0.25% set) ### |
|
±(0.2-2) mA ### |
±(4.88uA+0.25% set) ### |
|
±(2-20) mA ### |
±(48.8uA+0.25% set) ### |
|
±(20~200) mA ### |
±(244uA+0.25%set) ### |
|
±(0.2~2)A（脉冲） ### ### |
±(2.44mA+0.25%set) ### |
|
±(2-20)A（脉冲） ### ### |
±(24.4mA+1%set) ### |
压流源 (VB)
电压：
|
设定范畴（V） ### ### |
准确度 ### ### |
|
±(0~10) ### |
±(12.2mV+0.25%set) ### |
|
±(10~30) ### |
±(24.4mV+0.25%set) ### |
电流：
|
丈量范畴 ### ### |
准确度 ### ### |
|
±(0-20)uA ### |
±(48.8nA+0.25% set) ### |
|
±(20-200) uA ### |
±(488nA+0.25% set) ### |
|
±(0.2-2) mA ### |
±(4.88uA+0.25% set) ### |
|
±(2-20) mA ### |
±(48.8uA+0.25% set) ### |
|
±(20~200) mA ### |
±(244uA+0.25%set) ### |
高压源（HV）
|
设定范畴（V） ### ### |
准确度 ### ### |
|
0~1500 ### |
±(1.22V+1%set) ### |
*1500V时最大输入为1mA。
2、电压表的目标
测泄电流
|
丈量范畴 ### ### |
准确度 ### ### |
|
±(0~200)nA ### |
±(2.44nA+0.25% Rdg) ### |
|
±(0.2-2)uA ### |
±(24.4nA+0.25% Rdg) ### |
|
±(2-20)uA ### |
±(244nA+0.25% Rdg) ### |
|
±(20~200) uA ### |
±(2.44uA+0.25% Rdg) ### |
|
±(0.2~2)mA ### |
±(24.4uA+0.25% Rdg) ### |
|
±(2-20)mA ### |
±(244uA+0.25% Rdg) ### |
|
±(20~200) mA ### |
±(2.44mA+0.25% Rdg) ### |
|
±(0.2~2)A（脉冲） ### ### |
±(24.4mA+0.25% Rdg) ### |
|
±(2-20)A（脉冲） ### ### |
±(244mA+1% Rdg) ### |
测试电压
|
设定范畴（V） ### ### |
准确度 ### ### |
|
±(0~10) ### |
±(3mV+0.25% Rdg) ### |
|
±(10~30) ### |
±(3mV+0.25% Rdg) ### |
测击穿电压
|
设定范畴（V） ### ### |
准确度 ### ### |
|
（0~30）V/10mA ### |
±(36.6mV+0.25% Rdg) ### |
|
（30~1500）V/1mA ### |
±(610.3mV+1% Rdg) ### |
缩小倍数
|
设定范畴（V） ### ### |
准确度 ### ### |
|
1~9999 ### |
### ### |
